Hoʻokomo ʻo Semicera i ka semiconductor kiʻekiʻenā hoe hoʻoheheʻe kalapona silika, i hoʻolālā ʻia e hoʻokō i nā koi koʻikoʻi o ka hana semiconductor hou.
ʻO kahoe kilikakahiʻona i kahi hoʻolālā kiʻekiʻe e hōʻemi i ka hoʻonui ʻana i ka wela a me ka warping, e hilinaʻi nui ʻia i nā kūlana koʻikoʻi. Hāʻawi kāna hana paʻa i ka lōʻihi i hoʻonui ʻia, e hōʻemi ana i ka pilikia o ka haki ʻana a i ʻole ka ʻaʻahu, he mea koʻikoʻi ia i ka mālama ʻana i nā hua kiʻekiʻe a me ka maikaʻi o ka hana ʻana. ʻO kawaʻa waʻaHoʻohui pū ka hoʻolālā me ka maʻalahi me nā lako hana semiconductor maʻamau, e hōʻoia i ka hoʻohālikelike a me ka maʻalahi o ka hoʻohana.
ʻO kekahi o nā hiʻohiʻona koʻikoʻi o ka Semicerahoe SiCʻo ia kona kūpaʻa kemika, hiki iā ia ke hana maikaʻi loa i nā wahi i ʻike ʻia i nā kinoea corrosive a me nā kemika. ʻO ka manaʻo o Semicera i ka hana maʻamau e hiki ai i nā hoʻonā kūpono.
| Nā waiwai kino o Recrystallized Silicon Carbide | |
| Waiwai | Waiwai maʻamau |
| Mahana hana (°C) | 1600°C (me ka oxygen), 1700°C (hoemi kaiapuni) |
| maʻiʻo SiC | > 99.96% |
| Maikaʻi Si manuahi | < 0.1% |
| ʻAno nui | 2.60-2.70 g/cm3 |
| ʻIke ʻia ka porosity | < 16% |
| Ka ikaika hoʻoemi | > 600 MPa |
| Ka ikaika kulou anu | 80-90 MPa (20°C) |
| Ka ikaika piko wela | 90-100 MPa (1400°C) |
| Hoʻonui wela @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| ʻO ka wela wela @1200°C | 23 W/m•K |
| Modulus elastic | 240 GPa |
| Ke kū'ē i ka ha'alulu wela | Maikaʻi loa |
