ʻO ke ʻano o ka hoʻomākaukau ʻana i nā ʻāpana graphite i uhi ʻia ʻo TaC maʻamau

MAHELE/1
ʻO ke ʻano CVD (Chemical Vapor Deposition):
Ma 900-2300 ℃, me ka hoʻohana ʻana iā TaCl₅a me CnHm ma ke ano he tantalum a me ke kalapona, H₂ ma ke ano hoemi ana i ka lewa, Ar₂as mea lawe kinoea, reaction deposition film. ʻO ka uhi i hoʻomākaukauʻia he paʻakikī,ʻaʻahu a me ka maʻemaʻe kiʻekiʻe. Eia nō naʻe, aia kekahi mau pilikia e like me ke kaʻina hana paʻakikī, ke kumukūʻai kumukūʻai, ka hoʻokele airflow paʻakikī a me ka hana haʻahaʻa haʻahaʻa.
MAHELE/2
ʻO ke ʻano o ka sintering slurry:
ʻO ka slurry i loaʻa i ke kumu kalapona, kumu tantalum, dispersant a me ka binder ua uhi ʻia ma ka graphite a sintered ma ke kiʻekiʻe wela ma hope o ka maloʻo ʻana. Ke ulu nei ka uhi i hoʻomākaukau ʻia me ka ʻole o ka orientation maʻamau, he haʻahaʻa haʻahaʻa a kūpono no ka hana nui. Ke hoʻomau nei e ʻimi ʻia e hoʻokō i ka ʻaʻahu a me ka uhi piha i ka graphite nui, e hoʻopau i nā hemahema kākoʻo a hoʻonui i ka ikaika hoʻopaʻa paʻa.
MAHELE/3
ʻO ke ʻano hoʻoheheʻe plasma:
Hoʻoheheʻe ʻia ka pauka TaC e ka plasma arc i ka wela kiʻekiʻe, hoʻoheheʻe ʻia i loko o nā kulu wela kiʻekiʻe e ka jet kiʻekiʻe, a hoʻoheheʻe ʻia ma luna o ka ʻili o nā mea graphite. He mea maʻalahi ka hana ʻana i ka papa oxide ma lalo o ka ʻaʻa ʻole, a nui ka hoʻohana ʻana i ka ikehu.

 

Kiʻi . Wafer pā ma hope o ka hoʻohana 'ana i ka GaN epitaxial ulu MOCVD mea (Veeco P75). Ua uhi ʻia ka mea ma ka ʻaoʻao hema me TaC a ʻo ka mea ma ka ʻākau ua uhi ʻia me SiC.

Ua uhi ʻia ʻo TaCPono e hoʻoponopono ʻia nā ʻāpana graphite

MAHELE/1
Ka ikaika pili:
ʻOkoʻa ka coefficient hoʻonui wela a me nā waiwai kino ʻē aʻe ma waena o TaC a me nā mea kalapona, haʻahaʻa ka ikaika o ka hoʻopaʻa ʻana i ka uhi, paʻakikī ke pale aku i nā māwae, pores a me ke koʻikoʻi wela, a ua maʻalahi ka uhi ʻana i ka ʻili i loko o ka lewa maoli i loko o ka pala. piʻi hou a me ka hoʻolili ʻana.
MAHELE/2
Maʻemaʻe:
ka uhi ʻana o TaCpono i ka ultra-kiʻekiʻe maʻemaʻe e pale aku i ka haumia a me ka pollution ma lalo o kiʻekiʻe wela kūlana, a me ka pono maʻiʻo maʻamau a me characterization hae o ka noa kalapona a me ka intrinsic haumia ma luna o ka ili a me loko o ka piha uhi pono e 'aelike.
MAHELE/3
Paʻa:
ʻO ke kūpaʻa wela kiʻekiʻe a me ke kū ʻana o ka lewa kemika ma luna o 2300 ℃ nā hōʻailona koʻikoʻi e hoʻāʻo ai i ke kūpaʻa o ka uhi. ʻO nā pinholes, nā māwae, nā kihi e nalowale ana, a me nā palena o ka palaoa hoʻokahi e maʻalahi ke kumu i nā kinoea corrosive e komo a komo i loko o ka graphite, ka hopena o ka pale ʻana i ka pale.
MAHELE/4
Ke kū'ē i ka oxidation:
Hoʻomaka ʻo TaC e oxidize i Ta2O5 ke ʻoi aku ma luna o 500 ℃, a piʻi nui ka nui o ka oxidation me ka piʻi ʻana o ka mahana a me ka ʻike oxygen. Hoʻomaka ka oxidation o ka ʻili mai nā palena o ka palaoa a me nā hua liʻiliʻi, a hana mālie i nā kolamu kolamu a me nā kristal i haki ʻia, ka hopena i ka nui o nā āpau a me nā lua, a hoʻoikaika ʻia ka infiltration oxygen a hiki i ka wehe ʻana o ka uhi. ʻAʻole maikaʻi ka thermal conductivity a me nā ʻano kala like ʻole i ka helehelena.
MAHELE/5
ʻO ka lokahi a me ka ʻawaʻawa:
Hiki i ka hoʻohele like ʻole ʻana o ka ʻili o ka uhi ke alakaʻi i ke koʻikoʻi koʻikoʻi wela kūloko, e hoʻonui ana i ka pilikia o ka māhā a me ka spalling. Eia kekahi, pili pono ka ʻeleʻele o ka ʻili i ka pilina ma waena o ka uhi a me ke kaiapuni o waho, a ʻo ka ʻawaʻawa kiʻekiʻe ke alakaʻi maʻalahi i ka hoʻonui ʻana i ka friction me ka wafer a me ke kahua wela ʻole.
MAHELE/6
Ka nui o ka palaoa:
ʻO ka nui o ka palaoa likeʻole e kōkua i ka paʻa o ka uhi. Inā liʻiliʻi ka nui o ka palaoa, ʻaʻole paʻa ka paʻa, a ua maʻalahi ka hoʻoheheʻe ʻia a me ka corroded, e hopena i ka nui o nā māwae a me nā lua ma ka ʻaoʻao o ka palaoa, e hōʻemi ana i ka hana pale o ka uhi. Inā ʻoi aku ka nui o ka huaʻai, ʻano ʻala, a maʻalahi ka uhi ʻana ma lalo o ke kaumaha wela.