ʻO ka ulu ʻana o ka epitaxial kahi ʻenehana e hoʻoulu ai i kahi ʻāpana aniani hoʻokahi ma luna o kahi substrate kristal hoʻokahi (substrate) me ke ʻano aniani like me ka substrate, me he mea lā ua hoʻonui ʻia ka aniani mua i waho. Hiki ke ʻokoʻa ke ʻano o ke ʻano conductivity, resistivity, a me nā mea ʻē aʻe, a hiki ke ulu i nā kristal hoʻokahi multi-layer me nā mānoanoa like ʻole a me nā koi like ʻole, pēlā e hoʻomaikaʻi nui ai i ka maʻalahi o ka hoʻolālā ʻana a me ka hana ʻana o ka mea hana. Eia kekahi, ua hoʻohana nui ʻia ke kaʻina hana epitaxial i ka ʻenehana hoʻokaʻawale PN junction i nā kaʻa i hoʻohui ʻia a me ka hoʻomaikaʻi ʻana i ka maikaʻi o nā mea i loko o nā kaʻa hui nui.
Hoʻokumu ʻia ka hoʻokaʻawale ʻana o ka epitaxy ma nā ʻano mea like ʻole o ka substrate a me ka papa epitaxial a me nā ʻano ulu ulu.
Wahi a nā haku mele like ʻole, hiki ke hoʻokaʻawale ʻia ka ulu epitaxial i ʻelua ʻano:
1. Homoepitaxial: I kēia hihia, ʻo ka papa epitaxial ka mea like me ka substrate. No ka laʻana, ulu pono nā papa epitaxial silika ma luna o nā substrate silika.
2. Heteroepitaxy: Maʻaneʻi, ʻokoʻa ke ʻano kemika o ka papa epitaxial mai ka substrate. No ka laʻana, hoʻoulu ʻia kahi papa epitaxial gallium nitride ma kahi substrate sapphire.
Wahi a nā ʻano ulu ulu, hiki ke hoʻokaʻawale ʻia ka ʻenehana ulu epitaxial i nā ʻano like ʻole:
1. Molecular beam epitaxy (MBE): He ʻenehana kēia no ka hoʻoulu ʻana i nā kiʻi ʻoniʻoni ʻoniʻoni aniani hoʻokahi ma nā substrates kristal hoʻokahi, i loaʻa ma ka hoʻomalu pono ʻana i ka molecular beam flow rate and beam density in ultra-high vacuum.
2. Metala-organic chemical vapor deposition (MOCVD): Ke hoʻohana nei kēia ʻenehana i nā mea hoʻohui metala-organic a me nā mea hoʻoheheʻe kinoea e hana i nā hopena kemika ma nā wela kiʻekiʻe e hana i nā mea kiʻiʻoniʻoni lahilahi i makemake ʻia. Loaʻa iā ia nā noi ākea i ka hoʻomākaukau ʻana i nā mea semiconductor compound a me nā mea hana.
3. Liquid phase epitaxy (LPE): Ma ka hoʻohui ʻana i nā mea wai i ka substrate aniani hoʻokahi a me ka hoʻokō ʻana i ka mālama wela ma kekahi ʻano wela, ua crystallize ka mea wai e hana i hoʻokahi kiʻi aniani. ʻO nā kiʻiʻoniʻoni i hoʻomākaukau ʻia e kēia ʻenehana he lattice-match i ka substrate a hoʻohana pinepine ʻia e hoʻomākaukau i nā mea semiconductor compound a me nā mea hana.
4. Vapor phase epitaxy (VPE): Hoʻohana i nā mea hoʻoheheʻe kinoea e hana i nā hoʻoheheʻe kemika ma nā wela kiʻekiʻe e hoʻohua i nā mea kiʻiʻoniʻoni lahilahi i makemake ʻia. He kūpono kēia ʻenehana no ka hoʻomākaukau ʻana i nā kiʻi ʻoniʻoni kristal hoʻokahi kiʻekiʻe, a ʻoi aku ka maikaʻi o ka hoʻomākaukau ʻana i nā mea semiconductor compound a me nā mea hana.
5. Chemical beam epitaxy (CBE): Ke hoʻohana nei kēia ʻenehana i nā kukuna kemika e hoʻoulu i nā kiʻi ʻoniʻoni ʻoniʻoni hoʻokahi ma nā substrates aniani hoʻokahi, i loaʻa ma ka hoʻomalu pono ʻana i ka kahe kahe o ke kinikini a me ka nui o ka beam. Loaʻa iā ia nā noi ākea i ka hoʻomākaukau ʻana i nā kiʻi ʻoniʻoni lahilahi aniani kiʻekiʻe.
6. Atomic layer epitaxy (ALE): Me ka hoʻohana ʻana i ka ʻenehana deposition layer atomic, ua waiho ʻia nā mea kiʻi ʻoniʻoni lahilahi i makemake ʻia ma ka papa ma luna o kahi substrate kristal hoʻokahi. Hiki i kēia ʻenehana ke hoʻomākaukau i nā kiʻi ʻoniʻoni aniani hoʻokahi kiʻekiʻe a hoʻohana pinepine ʻia no ka hoʻomākaukau ʻana i nā mea semiconductor compound a me nā mea hana.
7. Epitaxy pā wela (HWE): Ma o ka hoʻomehana wela kiʻekiʻe, waiho ʻia nā mea hoʻoheheʻe kinoea ma luna o kahi pani aniani hoʻokahi e hana i hoʻokahi kiʻi aniani. He kūpono hoʻi kēia ʻenehana no ka hoʻomākaukau ʻana i nā kiʻi ʻoniʻoni kristal hoʻokahi kiʻekiʻe, a hoʻohana pono ʻia i ka hoʻomākaukau ʻana i nā mea semiconductor compound a me nā mea hana.
Ka manawa hoʻouna: Mei-06-2024