ʻO ka ʻāpana ʻokikene wela o kahi wafer silika he ʻāpana oxide a i ʻole ka papa silica i hana ʻia ma ka ʻili o kahi wafer silika ma lalo o nā kūlana wela kiʻekiʻe me kahi mea hoʻoheheʻe.Hoʻoulu pinepine ʻia ka ʻāpana wai wela o ka wafer silika i loko o ka umu wela o ka wela, a ʻo ka nui o ka ulu ʻana he 900 ° C ~ 1200 ° C, a ʻelua mau ʻano ulu o ka "wet oxidation" a me ka "dry oxidation".ʻO ka ʻāpana wai wela he "grown" oxide layer i ʻoi aku ka kiʻekiʻe o ka homogeneity a me ka ikaika dielectric kiʻekiʻe ma mua o ka CVD i waiho ʻia i ka oxide layer.He papa dielectric maikaʻi loa ka ʻāpana thermal oxide ma ke ʻano he insulator.I loko o nā mea hana silika he nui, he kuleana koʻikoʻi ka layer oxide thermal ma ke ʻano he doping blocking layer a me surface dielectric.
Manaʻo kōkua: ʻAno oxidation
1. Hoʻoheheʻe maloʻo
Hoʻopili ke silikoni me ka oxygen, a neʻe ka papa ʻokikene i ka papa basal.Pono e lawe ʻia ka oxidation maloʻo ma kahi mahana o 850 a 1200 ° C, a haʻahaʻa ka ulu ʻana, hiki ke hoʻohana ʻia no ka ulu ʻana o ka puka insulation MOS.Ke koi ʻia kahi papa kiʻekiʻe kiʻekiʻe, ultra-thin silicon oxide, ʻoi aku ka maikaʻi o ka oxidation maloʻo ma mua o ka oxidation pulu.
ʻO ka hiki ke hoʻokahe maloʻo: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)
2. Wet oxidation
Ke hoʻohana nei kēia ʻano i ka hui ʻana o ka hydrogen a me ka oxygen maʻemaʻe kiʻekiʻe e puhi i ka ~ 1000 ° C, no laila e hana ana i ka mahu wai e hana i kahi papa oxide.ʻOiai ʻaʻole hiki i ka oxidation pulu ke hana e like me ke kiʻekiʻe o ka oxidation papa e like me ka maloʻo oxidation, akā lawa e hoʻohana ʻia ma ke ʻano he wahi kaʻawale, ke hoʻohālikelike ʻia me ka oxidation maloʻo he pōmaikaʻi ʻoi aku ka nui o ka ulu ʻana.
Hiki ke hoʻoemi ʻia: 50nm~ 15µm (500A ~15µm)
3. Keʻano maloʻo - keʻano pulu - keʻano maloʻo
Ma kēia ʻano, hoʻokuʻu ʻia ka oxygen maloʻo maʻemaʻe i loko o ka umu hoʻoheheʻe i ka pae mua, hoʻohui ʻia ka hydrogen i waenakonu o ka oxidation, a mālama ʻia ka hydrogen i ka hopena e hoʻomau i ka hoʻoheheʻe ʻana me ka oxygen maloʻo maʻemaʻe e hana i kahi hoʻolālā oxidation denser ma mua o ʻo ke kaʻina hana hoʻokahe wai maʻamau ma ke ʻano o ka mahu wai.
4. TEOS oxidation
| ʻenehana hoʻokahe | Wet oxidation a maloʻo oxidation |
| Anawaena | 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″ |
| Mānoanoa Oxide | 100 Å ~ 15µm |
| Hoʻomanawanui | +/- 5% |
| Ili | ʻO ka ʻOxidation ʻaoʻao hoʻokahi (SSO) / ʻOxidation ʻaoʻao ʻelua (DSO) |
| Ke kapuahi | kapuahi paipu horizontal |
| kinoea | ʻO ke kinoea hydrogen a me Oxygen |
| Mahana | 900 ℃ ~ 1200 ℃ |
| Hōʻike hōʻike | 1.456 |
